内置高性能 500V/3A MOSFET
内置自举二极管
关于负的瞬态电压具有高鲁棒性
门极驱动电压规模支持 10V~20V
输入逻辑电平兼容 3.3V,5V 以及 15V
高侧和低侧均支持 UVLO
内置死区阻止上下管直通
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